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Originally posted by 驴子 at 2005-11-23 15:17:
刚刚查了下，电磁炸弹频谱很宽，不管高频区还是低频区，都是靠瞬间的响应电流毁坏电子设备的。
还有阿，狗狗你到底想说明的是什么，不要专一的驳斥别人，最后都搞不清你想说的论点是啥了
你的第一段话，具体究竟是如何毁坏电子设备你能给出具体例子么，比如举例某个电路或者某个部分看看。
我可以举出一些实际具体的例子，来阐述究竟是如何坏掉的。知道了他如何毁坏的全过程，回过头很容易就能理解，到底是高频区，还是低频区起主要作用了。
我的观点电话里跟你说了，再复述一遍：
1。电磁干扰分为高频区和低频区，但是主要的在低频区，长波也就是30KHZ到3M。高频区虽然分布广泛，但是由于能量不大，所以造不成致命影响（谐波）。
作用：低频区，严重破坏电子设备。高频区，严重干扰电子设备。
2。防护办法，分为低频，高频两种
低频：屏蔽可以很大程度上缓解问题。当然不可能完全解决，因为电磁脉冲干扰实在太大，一个是屏蔽，一个是干扰源，大家硬碰硬。
高频：接地屏蔽什么的没什么大用。但是这个频率能量小，主要只是干扰通信的作用。
3。你说的干扰源信号必须与通信设备信号频率一致的理论，也就是来自emf的知识，其实有一个前提，就是要保证干扰信号和信息信号都老老实实地通过天线接收端进入整个系统。那么这个情况下，干扰信号确实不会被放大。但是，事实上干扰信号还是可以直接到达后级各个放大环节的输入端，只是由于它本身信号太弱，不经过第一级共振放大，信号能量还是太小，显示不出来而已。
然而在核弹后的电磁干扰情况下，干扰信号巨强，电子设备内的任何一个环节它都可能直接干扰，譬如你说的高频通讯设备。它内部总有解码部分吧，解码部分的频率是低的，电源部分则几十khz，各个环节，都会被脉冲波直接干扰。
4。元件是怎么损坏的？
大多分两种，过压，过流。我说过如果220V电压，但是频率1M，我就是双手捏着都不会有事，因为集肤效应。所以高频电场很难直接烧坏具体元件。那么过压和过流是怎么导致的呢？就是错误信号触发导致的，举两个例子好了，比如坦克或者其他什么电子驱动设备里面，用H桥控制mos开关，照例一个臂上的两个mos是不能同时打开的，但是由于电磁干扰（必须是低频的），导致控制芯片错误输出，上下两臂的mos同时收到1信号而打开，那么就会短路，瞬间两个功率mos就都烧毁了。而你所说的高频信号，在这种情况下是干扰不了多少的。因为军事用途的控制芯片，他的频率都设置的特别低，譬如一个方波信号要求1MS的时间它才辨认，如果是高频干扰，那么只有1us，芯片是不会动作的，所以我说，低频的信号才是最威胁元件的，高频只能干扰信号，使得机器无法正常工作（完全覆盖了信号频率）。
暂时就这些，还有什么具体问题再讨论。:D |
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发表于 2005-11-23 12:22
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